フラッシュストレージ開発に沿った論理的な進展に続いて、サムスンは3D「垂直NAND」（V-NAND）フラッシュチップの量産を開始すると発表しました。 サムスンは大規模な家電メーカーとして知られていますが、韓国の製造業者は、プロセッサ、フラッシュストレージ、ディスプレイなどの内部コンポーネントをさまざまなデバイスメーカー向けに製造する有利なビジネスも行っています。
サムスン（および他のメーカー）が、同じ物理領域に高密度のストレージを10nmクラスの製造プロセスに移行するためのより小さなテクノロジーに移行することについて、以前に話しましたが、その名の通り、この新しい3D NANDシステムはさらに一歩進んでいます。 サムスンは、従来の「平面」（フラット）構造に固執するのではなく、最大24セルレイヤーの高さでコンポーネントを垂直にスタックするチップを構築しています。
小規模なアーキテクチャに移行するのと同じように、V-NANDに移行すると、結果として得られるチップの信頼性と速度の両方に固有の利点があります。 サムスンによると、これらの最初のV-NANDチップは、既存の10nmクラスのフラッシュメモリと比較して、2〜10倍の信頼性と2倍の書き込みパフォーマンスを備えています。
サムスンは現在、量産を開始しており、近い将来、消費者向けのコンピューターSSDから組み込みフラッシュストレージに至るまでの新しい家電製品に新しいチップが搭載されることを期待しています。
出典：Samsung（BusinessWire）
